Морфология поверхности, кристаллическое совершенство и электрофизические параметры гетероструктур CdHgTe/CdZnTe, выращенных MOCVD-методом

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Исследовано влияние режимов подготовки подложек Cd0.96Zn0.04Te(211)B и условий осаждения методом MOCVD слоев CdxHg1-xTe на морфологию поверхности, кристаллическое совершенство и электрофизические свойства гетероструктур. Показано, что морфология, ростовые дефекты поверхности и кристаллическое совершенство слоев в значительной степени зависят от качества подготовки подложек, а электрофизические параметры слоев КРТ — от чистоты монокристаллов, из которых изготовлены подложки. Путем отбора подложек получены слои КРТ (х~0.3) c концентрацией и подвижностью основных носителей заряда р77К = (5–30) × 1015 см−3 и µ77К=200–400 см2/(В с) соответственно.

Толық мәтін

Рұқсат жабық

Авторлар туралы

А. Чилясов

Институт химии высокочистых веществ им. Г. Г. Девятых Российской академии наук

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: chil@ihps-nnov.ru
Ресей, ул. Тропинина, 49, Нижний Новгород, 603137

А. Моисеев

Институт химии высокочистых веществ им. Г. Г. Девятых Российской академии наук

Email: chil@ihps-nnov.ru
Ресей, ул. Тропинина, 49, Нижний Новгород, 603137

В. Евстигнеев

Институт химии высокочистых веществ им. Г. Г. Девятых Российской академии наук

Email: chil@ihps-nnov.ru
Ресей, ул. Тропинина, 49, Нижний Новгород, 603137

М. Костюнин

Институт химии высокочистых веществ им. Г. Г. Девятых Российской академии наук

Email: chil@ihps-nnov.ru
Ресей, ул. Тропинина, 49, Нижний Новгород, 603137

И. Денисов

Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности (АО “Гиредмет”)

Email: chil@ihps-nnov.ru
Ресей, ул. Электродная, 2, Москва, 111524

А. Трофимов

АО “НПО “Орион”

Email: chil@ihps-nnov.ru
Ресей, ул. Косинская, 9, Москва, 111538

Әдебиет тізімі

  1. Mercury cadmium telluride. Growth, properties and applications / Eds. Capper P., Garland J. N.Y.: Wiley, 2011. 564 р.
  2. Lei W., Antoszewski J., Faraone L. Progress, challenges, and opportunities for HgCdTe infrared materials and detectors // Appl. Phys. Rev. 2015. V. 2. Р. 041303-1–041303-34.
  3. Dvoretsky S.A., Vasiliev V.V., Sidorov G.Y., Gorshkov D.V. HgCdTe device technology // Handbook of II-VI semiconductor-based sensors and radiation detectors / Ed. Korotcenkov G. V. 1. Materials and Technology. Ch. 15. Berlin: Springer, 2023. P. 423–463. https://doi.org/10.1007/978-3-031-19531-0
  4. Baker I., Hipwood L., Maxey C., Weller H., Thorne P. High-performance, low-cost IR detector technology // SPIE Newsroom. 2012. https://doi.org/10.1117/2.1201211.004557
  5. Madejczyk P., Gawron W., Keblowski A., Mlynarczyk K., Stepien D. et al. Higher operating temperature IR detectors on the MOCVD grown HgCdTe heterostructures // J. Electron. Mater. 2020. V. 49. № 11. P. 6908–6916.
  6. Bevan M.J., Doyle N.J., Temofonte T.A. Organometallic vapor-phase epitaxy of Hg1−xCdxTe on {211}-oriented substrates // J. Appl. Phys. 1992.V. 71(1). P. 204–210.
  7. Mitra P., Tyan Y.L., Case F.C. et al. Improved arsenic doping in metalorganic chemical vapor deposition of HgCdTe and in situ growth of high performance long wavelength infrared photodiodes // J. Electron. Mater. 1996. V. 25. № 8. P. 1328–1335.
  8. Mitra P., Barnes S.L., Case F.C. et al. MOCVD of bandgap-engineered HgCdTe p-n-N-P dual-band infrared detector arrays // J. Electron. Mater. 1997. V. 26. № 6. P. 482–487.
  9. Mitra P., Case F.C., Reine M.B. et al. MOVPE growth of HgCdTe for high performance 3–5 µm photodiodes operating at 100–180 K // J. Electron. Mater. 1999. V. 28. № 6. P. 589–595.
  10. Mitra P., Case F.C., Reine M.B. Progress in MOVPE of HgCdTe for advanced infrared detectors // J. Electron. Mater. 1998. V. 27. № 6. P. 510–520.
  11. Mitra P., Case F.C., Glass H.L. et al. HgCdTe growth on (522) oriented CdZnTe by metalorganic vapor phase epitaxy // J. Electron. Mater. 2001. V. 30. № 6. P. 779–784.
  12. Yuan W., Zhang C., Liang H., Wang X., Shangguan M. et al. Investigating the influence of CdZnTe and HgCdTe material quality on detector image performance // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2021. V. 32. P. 13177–13186.
  13. Qin G., Kong J.C., Yang J., Ren Y., Li Y.H. et al. HgCdTe films grown by MBE on CZT(211)B substrates // J. Electron. Mater. 2023. V. 52. P. 2441–2448.
  14. Котков А.П., Гришнова Н.Д., Моисеев А.Н. и др. Получение двухслойных эпитаксиальных структур на основе твердого раствора системы Cd–Hg–Te комбинацией методов ЖФЭ и MOCVD // Неорган. материалы. 2008.Т. 44. № 12. С. 1446–1452.
  15. Котков А.П., Гришнова Н.Д., Моисеев А.Н. и др. Выращивание эпитаксиальных слоев КРТ методом химического осаждения из паров металлорганических соединений и ртути на подложках CdZnTe // Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение // Тез. докл. ХIII конф. Н. Новгород: Николаев Ю.А., 2007. С. 240–241.
  16. Чилясов А.В., Моисеев А.Н., Степанов Б.С. и др. Выращивание эпитаксиальных слоев CdxHg1−xTe на подложках GaAs большого диаметра химическим осаждением из паров МОС и ртути // Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1. № 2. С. 209–215.
  17. Tower J.P., Tobin S.P., Norton P.W. et al. Trace copper measurements and electrical effects in LPE HgCdTe // J. Electron. Mater. 1996. V. 25. № 8. P. 1183–1187.
  18. Bubulac L.O., Tennant W.E., Riedel R.A. et al. Some aspects of Li behavior in ion implanted HgCdTe // J. Vac. Sci. Technol. 1983. V. A1. P. 1646–1650.
  19. Benson J.D., Bubulac L.O., Jacobs R.N., Wang A., Arias J.M. et al. Defects and the formation of impurity ‘hot spots’ in HgCdTe/CdZnTe // J. Electron. Mater. 2019. V. 48. № 10. P. 6194–6202.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу
2. Fig. 1. Micrographs of surface of CdTe epitaxial layer deposited on untreated CdZnTe(211)B substrate (a), and treated in bromine–methanol solution (0.5 vol.%) (b).

Жүктеу (368KB)
Метадеректер
3. Fig. 2. Typical surface morphology of CdTe layer on bromine–methanol treated CdZnTe(211)B substrate (a); enlarged image of large defect (~50 µm) on this surface (b).

Жүктеу (204KB)
Метадеректер
4. Fig. 3. Micrographs of CdTe layer surfaces on treated CdZnTe(211)B substrates with defects of various sizes and twin boundaries.

Жүктеу (193KB)
Метадеректер
5. Fig. 4. Micrograph of surface of CdTe layer deposited on treated CdZnTe(211)A substrate.

Жүктеу (261KB)
Метадеректер
6. Fig. 5. Micrographs of untreated (a) and treated (b) CdZnTe(211)B substrate surface.

Жүктеу (107KB)
Метадеректер

© Russian Academy of Sciences, 2025