Проведены исследования, которые позволили найти необходимое решение схемы криостатирования сверхпроводящих быстроциклирующих магнитов ускорителя SIS300 и оптимизировать параметры этой схемы. В соответствии с конструкцией сверхпроводящих магнитов и их режимом работы определены тепловые нагрузки на температурном уровне жидкого гелия и способы регулировки производительности системы криостатирования. Исследования показали, что четыре дополнительных гелиевых теплообменника в системе криостатирования SIS300 обеспечивают требуемый температурный запас в магнитах около 1 К. Определена зависимость максимальной температуры однофазного потока гелия на выходе из дипольных магнитов от соотношения расходов гелия в каналах сверхпроводящего дипольного магнита.