Отрицательная анизотропия в пленках Ni–Fe

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Получены пленки FeNi, обладающие эффектом “отрицательной анизотропии”, заключающемся в формировании наведенной анизотропии перпендикулярно полю осаждения. Протестирована ранее предложенная модель эффекта, основанная на отрицательной магнитострикции и неоднородных напряжениях. Влияние дополнительных напряжений анализировалось по изменяющейся форме R–H кривых. Изменения анизотропии согласуются с моделью.

Об авторах

П. А. Савин

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образовани
“Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина”

Автор, ответственный за переписку.
Email: Peter.Savin@urfu.ru
Россия, Екатеринбург

О. А. Аданакова

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образовани
“Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина”

Email: Peter.Savin@urfu.ru
Россия, Екатеринбург

В. Н. Лепаловский

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образовани
“Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина”

Email: Peter.Savin@urfu.ru
Россия, Екатеринбург

Е. В. Кудюков

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образовани
“Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина”

Email: Peter.Savin@urfu.ru
Россия, Екатеринбург

В. О. Васьковский

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образовани
“Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина”; Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
“Институт физики металлов имени М.Н. Михеева” Уральского отделения Российской академии наук

Email: Peter.Savin@urfu.ru
Россия, Екатеринбург; Россия, Екатеринбург

Список литературы

  1. Blois M.S. // J. Appl. Phys. 1955. V. 26. P. 975.
  2. Jogschies L., Klaas D., Kruppe R. et al. // Sensors. 2015. V. 15. Art. No. 28665.
  3. Smith D.O. // Appl. Phys. Lett. 1963. V. 2. P. 191.
  4. Soohoo R.F. // Czech. J. Phys. 1971. V. 21. P. 494.
  5. Savin P.A., Adanakova O.A., Lepalovskij V.N. et al. // J. Phys. Conf. Ser. 2019. V. 1389. Art. No. 012122.
  6. Лесник А.Г. Индуцированная магнитная анизотропия. Киев: Наукова думка, 1976. 160 с.
  7. Miyazaki T., Oomori T., Sato F. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 1994. V. 129. Art. No. L135.
  8. Савин П.А., Васьковский В.О., Кандаурова Г.С., Лепаловский В.Н. // Микроэлектроника. 1991. Т. 20. С. 407.
  9. Maissel L.I., Glang R. Handbook of thin film technology. N.Y.: McGraw Hill, 1970.
  10. Zhukov A., González J., Blanco M. et al. // J. Mater. Res. 2000. V. 15. P. 2107.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2.

Скачать (388KB)
3.

Скачать (64KB)
4.

Скачать (152KB)
5.

Скачать (147KB)

© П.А. Савин, О.А. Аданакова, В.Н. Лепаловский, Е.В. Кудюков, В.О. Васьковский, 2023