English
Kazakh
Português (Brasil)
Русский
简体中文
Poverhnostʹ. Rentgenovskie, sinhrotronnye i nejtronnye issledovaniâ
ISSN 1028-0960 (Print)
Мәзір     Мұрағат
  • Бастапқы
  • Журнал туралы
    • Редакция тобы
    • Редакция саясаты
    • Авторларға арналған ережелер
    • Журнал туралы
  • Шығарылымдар
    • Іздеу
    • Ағымдағы шығарылым
    • Ретракцияланған мақалалар
    • Мұрағат
  • Байланыс
  • Жазылу
  • Барлық журналдар
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • авторлар
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
  • Категориялар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер X-ray diffraction X-ray photoelectron spectroscopy atomic force microscopy density functional theory electron microscopy electronic structure ion implantation irradiation magnetron sputtering microstructure nanoparticles neutron reflectometry phase composition scanning electron microscopy silicon structure surface surface morphology synchrotron radiation thin films zinc oxide
Ағымдағы шығарылым

№ 11 (2024)

Ақпарат
  • Оқырмандар үшін
  • Авторларға
  • Кітапханалар үшін
×
Пайдаланушы
Құпия сөзді ұмыттыңыз ба? Тіркеу
Хабарламалар
  • Қарау
  • Тіркелу
Іздеу
Парақтау
  • шығарылымдар
  • авторлар
  • атаулары бойынша
  • бөлімдер бойынша
  • басқа журналдар
  • Категориялар
Жазылу Жазылымды тексеру үшін жүйеге кіріңіз
Кілтсөздер X-ray diffraction X-ray photoelectron spectroscopy atomic force microscopy density functional theory electron microscopy electronic structure ion implantation irradiation magnetron sputtering microstructure nanoparticles neutron reflectometry phase composition scanning electron microscopy silicon structure surface surface morphology synchrotron radiation thin films zinc oxide
Ағымдағы шығарылым

№ 11 (2024)

Ақпарат
  • Оқырмандар үшін
  • Авторларға
  • Кітапханалар үшін
Бастапқы > Іздеу > Автор туралы ақпарат

Автор туралы ақпарат

Карасев, К. П.

Шығарылым Бөлім Атауы Файл
№ 1 (2023) Articles Molecular Dynamic Simulation of Silicon Irradiation with 2–8 keV Buckminsterfullerene C60 Ions
№ 4 (2024) Articles Modeling of silicon irradiation with C60 ions and the role of the interaction potential
 

JOURNALS

Journal list

Search Articles

Manuscript submission

Services for Authors

LEGAL INFORMATION

User's personal data processing consent

Privacy statement

End user license agreement

Policy on distribution of notifications and marketing information

INFORMATION

Publisher's Blog

SERVICES

Subscription

Advertisement

Help with the site

CONTACTS Eco-Vector

Aptekarskiy per, d. 3, lit. A, office 1H, 191181 Saint-Petersburg, Russia

Phone: +7 (812) 648 8367

Email: info@eco-vector.com

SUBSCRIPTION

Phone: +7 (495) 409 8339

Email: podpiska@eco-vector.com

 

Developed by ECO-VECTOR

 

Powered by EVESYST

TOP