Влияние имплантации ионов О2+ на элементный и химический состав поверхности Si(111)
- Авторы: Аллаярова Г.Х.1, Умирзаков Б.Е.2, Ташатов А.К.1
-
Учреждения:
- Каршинский государственный университет
- Ташкентский государственный технический университет
- Выпуск: № 5 (2024)
- Страницы: 78-81
- Раздел: Статьи
- URL: https://freezetech.ru/1028-0960/article/view/664645
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096024050117
- EDN: https://elibrary.ru/FTPIKG
- ID: 664645
Цитировать