Влияние отжига на электропроводность и коэффициент термо-ЭДС кристаллов PbTe, SnTe И Pb0.75Sn0.25Te

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription Access

Abstract

Выращены монокристаллы PbTe, SnTe, Pb0.75Sn0.25Te, исследованы их электропроводность и коэффициент термо-ЭДС в интервале 90–300 К до и после отжига. Показано, что значения, характер температурной зависимости, а также тип проводимости неотожженных кристаллов PbTe, Pb0.75Sn0.25Te определяются в основном структурными несовершенствами, возникающими при выращивании и изготовлении образцов и залечивающихся отжигом. Электрические параметры неотожженных и отожженных кристаллов SnTe определяются в основном акцепторными вакансиями в подрешетке олова с концентрацией 1020–1021 см–3.

Full Text

Restricted Access

About the authors

Г. З. Багиева

Институт физики им. акад. Г. М. Абдуллаева Министерства науки и образования Азербайджанской Республики

Email: tunzalaaliyeva@mail.ru
Azerbaijan, пр. Г. Джавида, 131, Баку, AZ 1073

А. Ш. Абдинов

Бакинский государственный университет

Email: tunzalaaliyeva@mail.ru
Azerbaijan, ул. З. Халилова, 23, Баку, AZ 1148

Т. Д. Алиева

Институт физики им. акад. Г. М. Абдуллаева Министерства науки и образования Азербайджанской Республики

Author for correspondence.
Email: tunzalaaliyeva@mail.ru
Azerbaijan, пр. Г. Джавида, 131, Баку, AZ 1073

Д. Ш. Абдинов

Институт физики им. акад. Г. М. Абдуллаева Министерства науки и образования Азербайджанской Республики

Email: tunzalaaliyeva@mail.ru
Azerbaijan, пр. Г. Джавида, 131, Баку, AZ 1073

References

  1. Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца // УФН. 2014. Т. 184. № 10. С. 1033–1044. https://doi.org/10.3367/UFNr.0184.201410b.1033
  2. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. М.: Наука, 1968. 384 с.
  3. Успехи инфракрасной фотосенсорики. Сб. обзорных статей. М.: Орион, 2021. 480 с.
  4. Дмитриев А.В., Звягин И.П. Современные тенденции развития физики термоэлектрических материалов // УФН. 2010. Т. 180. С. 821–838. https://doi.org/
  5. Багиева Г.З., Абдинова Г.Дж., Алиева Т.Д., Абдинов Д.Ш. Термоэлектрические свойства монокристаллов твердого раствора Pb0.75Sn0.25Te со сверхстехиометричным свинцом // Неорган. материалы. 2023. Т. 59. № 12. С. 1335–1340. https://doi.org/1031857/S0002337X231120011
  6. Иванова Л.Д. Термоэлектрические материалы для различных температурных уровней // ФТП. 2017. Т. 51. Вып. 7. С. 948–951. https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44650.36
  7. Иванова Л.Д., Гранаткина Ю.В., Мальцев А.Г., Нихезина И.Ю., Криворучко С.П., Залдастанишвили М.И., Векуа Т.С., Судак Н.М. Получение и термоэлектрические свойства теллурида свинца с мелкокристаллической структурой // Неорган. материалы. 2020. Т. 56. № 8. С. 836–843. https://doi.org/10.31857/S0002337X20080060
  8. Охотин А.С., Ефимова А.А., Охотин В.С., Пушкарский А.С. Термоэлектрические генераторы. М.: Атомиздат, 1976. 320 с.
  9. Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Скуднова Л.В., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. M.: Наука, 1967. 176 с.
  10. Абрикосов Н.Х., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI . М.: Наука, 1975. 195 с.
  11. Равич Ю.И., Немов С.А. Прыжковая проводимость по сильно локализованным примесным состояниям индия в PbTe и твердых растворах на его основе // ФТП. 2002. Т. 36. Вып. 1. С. 3–23.
  12. Горелик С.С., Дашевкий М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: Металлургия, 1988. 574 с.
  13. Ахмедова Г.А., Абдинова Г.Дж., Абдинов Д.Ш. Влияние отжига на электрические свойства кристаллов PbTe, легированных таллием // ФТП. 2011. Т. 45. Вып. 2. С. 149–151.
  14. Абдурахманов О.Э., Алисултанов М.Э., Бертаева Д.А., Мурадова А.С. Исследование влияния температуры отжига на кристаллизацию наночастиц Nd2O3, синтезированных методом осаждения // Журн. неорган. химии. 2022. Т. 67. № 7. С. 1032–1038. https://doi.org/10.31857/S0044457X22070029
  15. Менщикова Т.К., Баранчиков А.Е., Никонов К.С., Ваймугин Л.А., Мыслицкий О.Е., Бреховских М.Н. Термический отжиг как способ управления свойствами селенидных магнитных полупроводников со структурой шпинели // Неорган. материалы. 2023. Т. 59. № 8. С. 853–858. https://doi.org/
  16. Ахундова Н.М., Алиева Т.Д. Влияние отжига на электрические свойства структур (Bi + Sn) – Pb0.75Sn0.25Тe(Sn) и (In + Ag + + Au) – Pb0.75Sn0.25Тe(Sn) // Неорган. материалы. 2023. T. 59. № 1. С. 23–27. https://doi.org/10.31857/S0002337X23010013
  17. Агаев З.Ф., Аллахвердиев Э.А., Муртузов Г.М., Абдинов Д.Ш. Выращивание и электрические свойства кристаллов твердых растворов Pb1–хМnхTe // Неорган. материалы. 2003. Т. 39. № 5. С. 543–545.
  18. Bagiyeva G.Z., Aliyeva T.D., Abdinova G.D., Abdinov D.Sh. Transfer of Electricity and Heat in Crystals SnTe with Superstoichiometrically Inserted Tin // Trans. Natl. Acad. Sci. Az., Ser. Phys.–Math. Tech. Sci. Phys. Astron. 2021. V. XLI. P. 52–59.
  19. Aliyeva T.D., Abdinova G.D., Akhundova N.M. Pb0.75Sn0.25Te.Sn Crystals and the Electrical Properties of its (In-Ag-Au) Eutectics and Contact // Trans. Natl. Acad. Sci. Az., Ser. Phys.–Math. Tech. Sci. Phys. Astron. 2022. V. XLII. P. 66–73.
  20. Охотин А.С., Пушкарский А.С., Боровикова Р.П., Симонов В.А. Методы измерения характеристик термоэлектрических материалов и преобразователей. М.: Наука, 1974. 168 с.
  21. Lorenz M.R., Jepsen D.M. An Explanation of High Cation Vacancy Concentration and p-type Conductivity in Semiconductors Containing a Multivalent Metal in its Lowest Valence State // J. Phys. Chem. Solids. 1965. V. 26. P. 1177–1179.
  22. Кайданов В.И., Черник И.А, Ефимова Б.А. Исследование зонной структуры и механизм рассеяния носителей тока в теллуриде олова // ФТП. 1967. Т. 1. № 6. С. 869–879.
  23. Tauber R.N., Machons A.A., Cadoff I.V. Thermal and Optical Gaps in PbTe // J. Appl. Phys. 1966. V. 37. P. 4855–4860.
  24. Ефимова Б.А., Кайданов В.И., Мойжес Б.Я., Черник И.А. О зонной модели SnTe // ФТТ. 1965. Т. 7. № 8. С. 2524–2527.

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download
2. Fig. 1. Temperature dependences of electrical conductivity of PbTe crystals (a), SnTe (b) and Pb0.75Sn0.25Te solid solution (c) before (1) and after annealing at 473 (2), 573 (3), 673 (4) and 773 K (5).

Download (150KB)
Indexing metadata
3. Fig. 2. Temperature dependences of the thermoelectric power coefficient of PbTe crystals (a), SnTe (b) and Pb0.75Sn0.25Te solid solution (c); curve markings correspond to Fig. 1.

Download (166KB)
Indexing metadata

Copyright (c) 2024 Russian Academy of Sciences