Analysis of the change in the composition of the CdTe surface upon implantation of O₂⁺ ions and subsequent annealing

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Рұқсат ақылы немесе тек жазылушылар үшін

Аннотация

The methods of implantation of O₂⁺ ions into a single-crystal CdTe/Mo(111) film followed by annealing at Т = 800 K for 30 min resulted in the obtained CdTeO3 film. It has been established that in the valence band of the CdTeO3 film there is a 3rd maximum due to the excitation of electrons from 5s Cd electrons and 2p O electrons and bending 5s Cd + 2pO electrons. At implantation of O₂⁺ ions with E0 ≥ 10 keV, Cd-Te-O type compounds were formed in the near-surface layer; therefore, a three-layer nanosystem of the CdTe/CdTeO/CdTe type was formed.

Авторлар туралы

A. Abduvaitov

Islam Karimov Tashkent State Technical University

Email: ftmet@mail.ru
Өзбекстан, Tashkent, 100095

Kh. Boltaev

Islam Karimov Tashkent State Technical University

Email: ftmet@mail.ru
Өзбекстан, Tashkent, 100095

B. Umirzakov

Islam Karimov Tashkent State Technical University

Email: ftmet@mail.ru
Өзбекстан, Tashkent, 100095

D. Tashmukhamedova

Islam Karimov Tashkent State Technical University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: ftmet@mail.ru
Өзбекстан, Tashkent, 100095

G. Abdurakhmanov

Mirzo Ulugbek National University of Uzbekistan

Email: ftmet@mail.ru
Өзбекстан, Tashkent, 100174

Әдебиет тізімі

  1. Bube R.H. // Proc. of the Symp. Mater. New Process. Technol. Photovolt. V. 83–11. (New Jersey, 1983) P. 359.
  2. Lee C.H., Park S.W., Jaesun Lee et al. // J. Electron. Mater. 1998. V. 27. No. 6. P. 668.
  3. Рыжков М.С., Худайбердиев Д.А., Козлов Д.А. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2022. Т. 115. № 4. С. 230; Ryzhkov M.S., Khudaiberdiev D.A., Kozlov D.A. et al. // JETP Lett. 2022. V. 115. No. 4. P. 202.
  4. Orletskyi I.G., Ilashchuk M.I., Maistruk E.V. et al. // Ukr. J. Phys. 2019. V. 64. No. 2. P. 164.
  5. GuillénCervantes A., BecerrilSilva M., SilvaLópez H.E. et al. // J. Mater. Sci. Mater. Electron. 2020. V. 31. P. 7133.
  6. Жанабергенов Ж., Мирсагатов Ш.А., Каражанов С.Ж., Музаффарова С. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. № 21. С. 82; Zhanabergenov Zh., Mirsagatov Sh.A., Karazhanov S. Zh., Muzaffarova S. // Tech. Phys. Lett. 2003. V. 29. No. 11. P. 917.
  7. Умирзаков Б.Е., Содикжанов Ж.Ш., Ташмухамедова Д.А. и др. // Письма в ЖТФ. 2021. Т. 47. № 12. С. 3; Umirzakov B.E., Sodikjanov J.Sh., Tashmukhamedova D.A. et al. // Tech.Phys. Lett. 2021. V. 47. No. 8. P. 620.
  8. Селькин А.В., Юлдашев Н.Х. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 6. С. 879; Selkin A.V., Yuldashev N.Kh. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. № 6. P. 771.
  9. Kapadnis R.S., Kale S.S., Wagh V.G. // IOSR-JEN. 2013. V. 3. No. 8. P. 01.
  10. Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Алешкин В.Я. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 6. С. 861; Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Aleshkin V.Ya. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. No. 6. P. 755.
  11. Иконников А.В., Криштопенко С.С., Бовкун Л.С. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2022. Т. 116. № 8. С. 535; Ikonnikov A.V., Krishtopenko S.S., Bovkun L.S. et al. // JETP Lett. 2022. V. 116. No. 8. P. 547.
  12. Рыжков М.C., Козлов Д.А., Худайбердиев Д.А. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2022. Т. 117. № 1. С. 50; Ryzhkov M.S., Kozlov D.A., Khudaiberdiev D.A. et al. // JETP Lett. 2023. V. 117. No. 1. P. 44.
  13. Уланов В.А., Зайнуллин Р.Р., Хушея Т.А.Н., Яцык И.В. // Изв. РАН. Сер. физ. 2021. Т. 85. № 14. С. 1682; Ulanov V.A., Zainullin R.R., Housheya T.A.H., Yatsyk I.V. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2021. V. 85. No. 12. P. 1337.
  14. Беляев А.П., Рубец В.П., Антипов В.В., Еремина Е.О. // ФТП. 2010. Т. 44. № 7. С. 978; Belyaev A.P., Rubets V.P., Antipov V.V., Eremina E.O. // Semiconductors. 2010. V. 44. No. 7. P. 946.
  15. Клюй Н.И., Лозинский В.Б., Лукьянов А.Н. и др. // ЖТФ. 2012. Т. 82. № 8. С. 83; Klyui N.I., Lozinskii V.B., Luk’yanov A.N. et al. // Techn. Physics. 2012. V. 57. No. 8. P. 1121.
  16. Wang F., Schwartzman A., Fahrenbruch A.L. et al. // J. Appl. Phys. 1987. V. 62. P. 1469.
  17. Espinoza-Beltrán F.J., Sánchez-Sinencio F., Zelaya-Angel O. et al. // Japan. J. Appl. Phys. 1991. V. 30. Part 2. Art. No. L1715.
  18. Espinoza-Beltrán F.J., Zelaya O., Sánchez-Sinencio F. et al. // J. Vac. Sci. Techol. A. 1993. V. 11. P. 3062.
  19. Zapata-Navarro A., Zapata-Torres M., Sosa V. et al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1994. V. 12. P. 714.
  20. Werthen J.G., Häring J.P., Bube R.H. // J. Appl. Phys. 1983. V. 54. P. 1159.
  21. Болтаев Х.Х., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. // Поверхн. Рентген., cинхротрон. и нейтрон. иссл. 2014. № 4. С. 24; Boltaev Kh.Kh., Tashmukhamedova D.A., Umirzakov B.E. // J. Surface Invest. X-ray, Synchrotron Neutron Tech. 2014. V. 8. No. 2. P. 326.
  22. Эргашов Ё.С., Ташмухамедова Д.А., Джурабекова Ф.Г., Умирзаков Б.Е. // Изв. РАН. Сер. физ. 2016. Т. 80. № 2. С. 162; Ergashov E.S., Tashmukhamedova D.A., Djurabekova F.G., Umirzakov B.E. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2016. V. 80. No. 2. P. 138.
  23. Ташмухамедова Д.А., Юсупжанова М.Б. // Поверхн. Рентген., cинхротрон. и нейтрон. иссл. 2016. V. 12. P. 89; Tashmukhamedova D.A., Yusupjanova M.B. // J. Surface Invest. X-ray, Synchrotron Neutron Tech. 2016. V. 10. No. 6. P. 1273.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу

© Russian Academy of Sciences, 2024