Установка для исследования стойкости полупроводниковых приборов к воздействию электростатического разряда методом импульса линии передачи

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Представлена экспериментальная установка для исследования стойкости полупроводниковых приборов к воздействию электростатического разряда методом импульса линии передачи. Данная установка позволяет измерять импульсные вольт-амперные характеристики полупроводниковых приборов и защитных элементов, а также проводить исследование стойкости микроэлектронных устройств к электростатическому разряду, в том числе и без их разрушения. Установка обеспечивает создание испытательных импульсов напряжения прямоугольной формы длительностью 100 нс, согласно стандарту IEC62615, и обеспечивает амплитуду импульса тока разряда до 10 А.

Толық мәтін

Рұқсат жабық

Авторлар туралы

В. Кузнецов

Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: vadim.kuznetsov@bmstu.ru
Ресей, 105005, Москва, 2-я Бауманская ул., 5, с. 1

B. Андреев

Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана

Email: vladimir_andreev@bmstu.ru
Ресей, 105005, Москва, 2-я Бауманская ул., 5, с. 1

Әдебиет тізімі

  1. Семкин Н.Д., Воронов К.Е., Ильин А.Б., Пияков А.В., Шатров С.А., Плохотниченко П.Г. // ПТЭ. 2017. № 2. С. 110. https://doi.org/10.1134/S0020441217010274
  2. Абрамешин А.Е., Галухин И.А., Кечиев Л.Н., Кузнецов В.В., Назаров Р.В. // Технологии электромагнитной совместимости. 2012. № 3. С. 44.
  3. Voldman S.H. // 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology. Beijing, Chinea. 2008. P. 325. https://doi.org/10.1109/ICSICT.2008.4734537
  4. Ammer M., Esmark K., zur Nieden F., Rupp A., Cao Y., Sauter M., Maurer L. // 39th Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD), Tucson, USA. 2017. P. 1. https://doi.org/10.23919/EOSESD.2017.8073438
  5. Наумов В.В., Гребенщиков О.А., Залесский В.Б. // ПТЭ. 2007. № 1. С. 164. eLIBRARY ID: 9465475
  6. Barth J.E., Verhaege K., Henry L.G., Richner J. // IEEE Transactions on Electronics Packaging Manufacturing. 2001. V. 24. P.99. https://doi.org/10.1109/6104.930960
  7. Ashton R.A. // Proceed. International Conference on Microelectronic Test Structures. Nara, Japan.1995. P. 127. https://doi.org/10.1109/ICMTS.1995.513959
  8. Вьюхин В.Н. // ПТЭ. 2020. № 1. С. 52. https://doi.org/10.1134/S0020441219060216
  9. Du F., Song S., Hou F., Song W., Chen L., Liu J., Liou J.J.// IEEE Electron Device Letters. 2019. V. 40. P. 1491. https://doi.org/10.1109/LED.2019.2926103
  10. Teh G.L., Chim W.K. // Proceedings of the 6th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits. Singapore. 1997. P. 156. https://doi.org/10.1109/IPFA.1997.638186
  11. Kuznetsov V. // IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility. 2018. V. 60. P. 107. https://doi.org/10.1109/TEMC.2017.2700492
  12. Максимов И.В., Кузнецов В.В., Андреев В.В. // Технологии электромагнитной совместимости. 2017. № 4(63). С. 35.
  13. Andreev D.V., Maslovsky V.M., Andreev V.V., Stolyarov A.A. // Phys. Status Solidi A. 2022. V. 219. № 9. P. 2100400. https://doi.org/10.1002/pssa.202100400

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу
2. Fig. 1. Typical current-voltage characteristic of a thyristor-type protective element.

Жүктеу (63KB)
Метадеректер
3. Fig. 2. Block diagram of the setup for studying the resistance of semiconductor devices to the effects of electrostatic discharge using the TLP method.

Жүктеу (121KB)
Метадеректер
4. Fig. 3. Setup for studying the resistance of semiconductor devices to the effects of electrostatic discharge using the TLP method: 1 – a section of RG-316 cable with a length of L=10 m, 2 – connectors for connecting a high-voltage source, 3 – a contact device with an installed IC, 4 – a module on a printed circuit board, 5 – connectors for connecting an oscilloscope.

Жүктеу (281KB)
Метадеректер
5. Fig. 4. Form of discharge current pulse and measurement window.

Жүктеу (74KB)
Метадеректер
6. Fig. 5. Oscillogram of the voltage pulse at the voltage measurement output (channel 1) and at the current measurement output (channel 2).

Жүктеу (281KB)
Метадеректер
7. Fig. 6. I-V characteristics of a protective element for an IC using 3 µm technology.

Жүктеу (95KB)
Метадеректер
8. Fig. 7. I-V characteristics of a protective element for an IC using 0.6 µm technology.

Жүктеу (94KB)
Метадеректер

© Russian Academy of Sciences, 2024