Установка для исследования стойкости полупроводниковых приборов к воздействию электростатического разряда методом импульса линии передачи

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

Представлена экспериментальная установка для исследования стойкости полупроводниковых приборов к воздействию электростатического разряда методом импульса линии передачи. Данная установка позволяет измерять импульсные вольт-амперные характеристики полупроводниковых приборов и защитных элементов, а также проводить исследование стойкости микроэлектронных устройств к электростатическому разряду, в том числе и без их разрушения. Установка обеспечивает создание испытательных импульсов напряжения прямоугольной формы длительностью 100 нс, согласно стандарту IEC62615, и обеспечивает амплитуду импульса тока разряда до 10 А.

Texto integral

Acesso é fechado

Sobre autores

В. Кузнецов

Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана

Autor responsável pela correspondência
Email: vadim.kuznetsov@bmstu.ru
Rússia, 105005, Москва, 2-я Бауманская ул., 5, с. 1

B. Андреев

Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана

Email: vladimir_andreev@bmstu.ru
Rússia, 105005, Москва, 2-я Бауманская ул., 5, с. 1

Bibliografia

  1. Семкин Н.Д., Воронов К.Е., Ильин А.Б., Пияков А.В., Шатров С.А., Плохотниченко П.Г. // ПТЭ. 2017. № 2. С. 110. https://doi.org/10.1134/S0020441217010274
  2. Абрамешин А.Е., Галухин И.А., Кечиев Л.Н., Кузнецов В.В., Назаров Р.В. // Технологии электромагнитной совместимости. 2012. № 3. С. 44.
  3. Voldman S.H. // 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology. Beijing, Chinea. 2008. P. 325. https://doi.org/10.1109/ICSICT.2008.4734537
  4. Ammer M., Esmark K., zur Nieden F., Rupp A., Cao Y., Sauter M., Maurer L. // 39th Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD), Tucson, USA. 2017. P. 1. https://doi.org/10.23919/EOSESD.2017.8073438
  5. Наумов В.В., Гребенщиков О.А., Залесский В.Б. // ПТЭ. 2007. № 1. С. 164. eLIBRARY ID: 9465475
  6. Barth J.E., Verhaege K., Henry L.G., Richner J. // IEEE Transactions on Electronics Packaging Manufacturing. 2001. V. 24. P.99. https://doi.org/10.1109/6104.930960
  7. Ashton R.A. // Proceed. International Conference on Microelectronic Test Structures. Nara, Japan.1995. P. 127. https://doi.org/10.1109/ICMTS.1995.513959
  8. Вьюхин В.Н. // ПТЭ. 2020. № 1. С. 52. https://doi.org/10.1134/S0020441219060216
  9. Du F., Song S., Hou F., Song W., Chen L., Liu J., Liou J.J.// IEEE Electron Device Letters. 2019. V. 40. P. 1491. https://doi.org/10.1109/LED.2019.2926103
  10. Teh G.L., Chim W.K. // Proceedings of the 6th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits. Singapore. 1997. P. 156. https://doi.org/10.1109/IPFA.1997.638186
  11. Kuznetsov V. // IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility. 2018. V. 60. P. 107. https://doi.org/10.1109/TEMC.2017.2700492
  12. Максимов И.В., Кузнецов В.В., Андреев В.В. // Технологии электромагнитной совместимости. 2017. № 4(63). С. 35.
  13. Andreev D.V., Maslovsky V.M., Andreev V.V., Stolyarov A.A. // Phys. Status Solidi A. 2022. V. 219. № 9. P. 2100400. https://doi.org/10.1002/pssa.202100400

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar
2. Fig. 1. Typical current-voltage characteristic of a thyristor-type protective element.

Baixar (63KB)
Metadados
3. Fig. 2. Block diagram of the setup for studying the resistance of semiconductor devices to the effects of electrostatic discharge using the TLP method.

Baixar (121KB)
Metadados
4. Fig. 3. Setup for studying the resistance of semiconductor devices to the effects of electrostatic discharge using the TLP method: 1 – a section of RG-316 cable with a length of L=10 m, 2 – connectors for connecting a high-voltage source, 3 – a contact device with an installed IC, 4 – a module on a printed circuit board, 5 – connectors for connecting an oscilloscope.

Baixar (281KB)
Metadados
5. Fig. 4. Form of discharge current pulse and measurement window.

Baixar (74KB)
Metadados
6. Fig. 5. Oscillogram of the voltage pulse at the voltage measurement output (channel 1) and at the current measurement output (channel 2).

Baixar (281KB)
Metadados
7. Fig. 6. I-V characteristics of a protective element for an IC using 3 µm technology.

Baixar (95KB)
Metadados
8. Fig. 7. I-V characteristics of a protective element for an IC using 0.6 µm technology.

Baixar (94KB)
Metadados

Declaração de direitos autorais © Russian Academy of Sciences, 2024