Installation for Thermoreflectometry of Semiconductor Materials in a Strong Magnetic Field at Low Temperatures

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

An experimental cell design and an optoelectronic unit have been developed for studying relaxation processes in the near-surface region of semiconductors under pulsed laser irradiation in a temperature range from 3 to 300 K and a magnetic field up to 12 T.

Авторлар туралы

A. Kotov

Institute of Thermal Physics of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences

Email: artem625@mail.ru
Russia, 620016, Yekaterinburg

A. Starostin

Institute of Thermal Physics of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences

Email: artem625@mail.ru
Russia, 620016, Yekaterinburg

V. Shangin

Institute of Thermal Physics of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences

Email: artem625@mail.ru
Russia, 620016, Yekaterinburg

S. Bobin

Mikheev Institute of Metal Physics of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences

Email: artem625@mail.ru
Russia, 620108, Yekaterinburg

A. Lonchakov

Mikheev Institute of Metal Physics of the Ural Branch of the Russian Academy of Sciences

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: artem625@mail.ru
Russia, 620108, Yekaterinburg

Әдебиет тізімі

  1. Starostin A.A., Shangin V.V., Lonchakov A.T., Kotov A.N., Bobin S.B. // Annalen der Physik 2020. V. 532. Iss. 8. P. 1900586. https://doi.org/10.1002/andp.201900586
  2. Wang T., Zheng S., Yang Z. // Sensors and Actuators A. 1998. V. 69. P. 134.
  3. Новицкий Л.А., Кожевников И.Г. Теплофизические свойства материалов при низких температурах. Справочник. М.: Машиностроение, 1975.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
2.

Жүктеу (253KB)
3.

Жүктеу (145KB)

© А.Н. Котов, А.А. Старостин, В.В. Шангин, С.Б. Бобин, А.Т. Лончаков, 2023