Оценка потенциалов внутренней зарядки диэлектриков, покрытых проводящей пленкой

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Проведена оценка потенциалов зарядки кварцевого стекла, покрытого проводящей металлической пленкой. Для оценок использована измеренная зависимость интенсивности катодолюминесцентного сигнала от фактической энергии падающего электронного пучка. Расчеты показали, что при облучении кварцевого стекла, покрытого пленкой Au толщиной 14 нм, потенциал зарядки может достигать 1.7 кВ при энергии электронов 10 кэВ и 2.7 кВ при 15 кэВ. Оценка электрического поля, возникающего под поверхностью заземленной пленки, показала, что напряженность поля не превышает 4 × 107 В/см.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

Н. Г. Орликовская

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова

Автор, ответственный за переписку.
Email: orlikovskayang@gmail.com
Россия, Москва, 119991

Е. Ю. Зыкова

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова

Email: orlikovskayang@gmail.com
Россия, Москва, 119991

А. А. Татаринцев

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова

Email: orlikovskayang@gmail.com
Россия, Москва, 119991

Список литературы

  1. Петров В.И. // Успехи физических наук. 1996. Т. 166. С. 859.
  2. Melchinger A., Hofmann S. // J. Appl. Phys. 1995. V. 78. P. 6224. https://doi.org/10.1063/1.360569
  3. Cazaux J. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 8265. https://doi.org/10.1063/1.1368867
  4. Cornet N., Goeuriot D., Guerret-Piécourt C., Juv́ D., Tŕheux D., Touzin M., Fitting H.J. // J. Appl. Phys. 2008. V. 103. Р. 064110. https://doi.org/10.1063/1.2890427
  5. Askri B., Raouadi K., Renoud R., Yangui B. // J. Electrostat. 2009. V. 67. P. 695. https://doi.org/10.1016/j.elstat.2009.03.006
  6. Рау Э.И., Татаринцев А.А. // Физика твердого тела. 2021. Т. 63. С. 483. https://doi.org/10.21883/FTT.2021.04.50713.246
  7. Cazaux J. // J. Appl. Phys. 1986. V. 59. P. 1418. https://doi.org/10.1063/1.336493
  8. Cazaux J. // Scanning. 2004. V. 26. P. 181. https://doi.org/10.1002/sca.4950260406
  9. Meyza X., Goeuriot D., Guerret-Piécourt C., Tréheux D., Fitting H.J. // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. P. 5384. https://doi.org/10.1063/1.1613807
  10. Touzin M., Goeuriot D., Guerret-Piécourt C., Juv́ D., Tŕheux D., Fitting H.J. // J. Appl. Phys. 2006. V. 99. Р. 114110. https://doi.org/10.1063/1.2201851
  11. Татаринцев А.А., Зыкова Е.Ю., Иешкин А.Е., Орликовская Н.Г., Рау Э.И. // Физика твердого тела. 2023. Т. 65. С. 1288. https://doi.org/10.21883/ftt.2023.08.56145.79
  12. Ohya K., Inai K., Kuwada H., Hayashi T., Saito M. // Surf. Coatings Technol. 2008. V. 202. P. 5310. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2008.06.008
  13. Cazaux J. // J. Electron Spectr. Relat. Phenomena. 2010. V. 176. P. 58. https://doi.org/10.1016/j.elspec.2009.06.004
  14. Орехова К.Н., Серов Ю.М., Дементьев П.А., Иванова Е.В., Кравец В.А., Усачева В.П., Заморянская М.В. // Журнал технической физики. 2019. Т. 89. С. 1412. https://doi.org/10.21883/jtf.2019.09.48068.43-19
  15. Рау Э.И., Татаринцев А.А., Зыкова Е.Ю., Зайцев С.В. // Журнал технической физики. 2019. Т. 89. С. 1276. https://doi.org/10.21883/jtf.2019.08.47904.264-18
  16. Зайцев С.В., Купреенко С.Ю., Лукьянов А.Е., Рау Э.И., Татаринцев А.А., Хайдаров А.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2016. Т. 80. С. 1623. https://doi.org/10.7868/s0367676516120206
  17. Fitting H.J. // J. Electron Spectr. Relat. Phenomena. 2004. V. 136. P. 265. https://doi.org/10.1016/j.elspec.2004.04.003
  18. Phillips M.R. // Microchim. Acta. 2006. V. 155. P. 51. https://doi.org/10.1007/s00604-006-0506-0
  19. Кузнецова Я.В. Особенности катодолюминесценции полупроводниковых структур на основе AlInGaN: Дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10. Санкт-Петербург: ФТИ, 2013.
  20. Гареева А.Р., Петров В.И., Чижов Г.А. // Вестн. МГУ. Сер. 3. 1989. Т. 30. С. 23.
  21. Михеев Н.Н., Петров В.И., Степович М.А. // Изв. АНаук СССР. Сер. физ. 1991. Т. 55. С. 1474.
  22. August H., Wernisch J. // Phys. Stat. Sol. 1989. V. 114. P. 629.
  23. Hunger H.-J., Kuchler L. // Phys. Stat. Sol. 1979. V. 56. P. 45.
  24. Drouin D., Couture A.R., Joly D., Tastet X., Aimez V., Gauvin R. // Scanning. 2007. V. 29. P. 92. https://doi.org/10.1002/sca.20000
  25. Рау Э.И., Евстафьева Е.Н., Зайцев С.И., Князев М.А., Свинцов А.А., Татаринцев А.А. // Микроэлектроника. 2013. Т. 42. С. 116. https://doi.org/10.7868/s0544126913020105
  26. Kotera M., Suga H. // J. Appl. Phys. 1988. V. 63. P. 261. https://doi.org/10.1063/1.340285
  27. Сканави Г.И. Физика диэлектриков (область сильных полей). М.: ГИФМЛ, 1958. 907 с.
  28. Франц В. Пробой диэлектриков. М.: ИЛ, 1961. 207 с.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис. 1. Зависимость интенсивности сигнала катодолюминесценции ICL кварцевого стекла (1), стекла, покрытого золотой пленкой (2), и потенциала зарядки VS кварца (3) от времени облучения электронами с энергией E0 = 10 (а) и 15 кэВ (б), плотностью тока j0 = 10–5 А/см2.

Скачать (25KB)
Метаданные
3. Рис. 2. Рассчитанное с помощью программы Casino v2.5 изменение области взаимодействия в кварцевом стекле при изменении вследствие зарядки энергии электронного зонда от 8.4 (А) до 6.7 кэВ (B).

Скачать (26KB)
Метаданные
4. Рис. 3. Рассчитанные зависимости потенциала V (1, 2) и напряженности электрического поля Ein (3, 4) в кварцевом стекле от глубины z при E0 = 10 (1, 3) и 15 кэВ (2, 4).

Скачать (15KB)
Метаданные

© Российская академия наук, 2024