Новое поколение твердотельных охладителей
- Авторы: Булат Л.П.1
-
Учреждения:
- Санкт-Петербургский государственный университет низкотемпературных и пищевых технологий
- Выпуск: Том 93, № 8 (2004)
- Страницы: 2-7
- Раздел: Статьи
- URL: https://freezetech.ru/0023-124X/article/view/100729
- DOI: https://doi.org/10.17816/RF100729
- ID: 100729
Цитировать
Полный текст
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Доступ платный или только для подписчиков
Аннотация
Как уже отмечалось ранее [1], среднегодовой прирост мирового производства охлаждающих термоэлектрических (ТЭ) модулей в 90-х годах прошлого столетия составлял 15-25 %.
Ключевые слова
Полный текст
Об авторах
Л. П. Булат
Санкт-Петербургский государственный университет низкотемпературных и пищевых технологий
Автор, ответственный за переписку.
Email: info@eco-vector.com
Д-р физ.-мат. наук
РоссияСписок литературы
- Булат Л. П. Термоэлектрическое охлаждение: состояние и перспективы //Холодильная техника. 1999. №7.
- БулатЛ.П., Ведерников М.В., Вялов А.П. и др. Термоэлектрическое охлаждение: текст лекций/ Под ред. Л.П.Булата. - СПб: СПбГУНиПТ, 2002.
- БулатЛ.П. //Прикладная физика 2003. № 1.
- Fan X., Zeng G., LaBounty С. etal. Appl. Phys. Letters, 2001. V.78, №11.
- Ghoshal U., Ghoshal S., McDowell C. and Shi L. //Appl. Phys. Letters 2002, V.80. № 16.
- Ghoshal U. Proc. XXI International Conf, on Thermoelectrics, August 26-29, 2002. IEEE.
- Harman T.S. et al. Science, V.297. Sept. 2002.
- Hishinuma Y, Geballe Т.Н., Moyzhes B.Y, Kenny T.W.//AppL Phys. Lett. 2001. V.78. № 17.
- Mahajan R. XXI International Conf, on Thermoelectrics, August 26-29, 2002. Program and Abstracts. JPL-NASA. 2002.
- Proceedings of XXI International Conf, on Thermoelectrics. IEEE, 2002.
- Tavkhelidze A, Skhiladze G., Bibilashvili A., Tsakadze L, Jangadze L, Taliashvili Z, Cox I, Berishvili Z. Proc. XXI International Conf, on Thermoelectrics, August 26-29, 2002. IEEE.
- TavkhelidzeA. etal. Patent No. US 6,720,704 В1, Apr. 13, 2004.
- R.Venkatasubramantan, E.Silvota, T.Colpitts and B.O’Quinn //Nature 2001. V.413.
Дополнительные файлы
Доп. файлы
Действие
1.
JATS XML
2.
Рис. 1. Производство термоэлектрической холодильной продукции различного назначения разными странами в % от общемирового производства (по состоянию на июнь 2003 г.)
Скачать (244KB)
3.
Рис.2. Выделяемая тепловая мощность Q как функция частоты микропроцессора компьютера f (по данным корпорации INTEL)
Скачать (190KB)
4.
Рис.З. Рост числа транзисторов в микропроцессоре компьютера по годам, (по данным корпорации INTEL)
Скачать (227KB)
5.
Рис.4. Термоэлектрический (а) и термоионный (б) охладители: 1 — металлические контакты; 2 — полупроводниковый термоэлемент; 3 — поток теплопроводности; 4 — поток электронов; 5 — катод; 6 — анод; 7 — вакуумный зазор
Скачать (194KB)
6.
Рис. 5. Два варианта термоэлементов с точечными контактами: 1 — полупроводник р-типа; 2 — полупроводник п-типа; 3 — электроизолирующая пластина; 4 — горячая сторона; 5 — холодная сторона. Электрический ток обозначен буквой I
Скачать (214KB)
7.
Рис. 6. Конструкции термоионных охладителей: а — сэндвич Si/Ti/Ag/Cu; б — открывшийся после замораживания сэндвич из электродов Si/Ti и Cu/Ag с одинаковым рельефом поверхностей и с вакуумным слоем
Скачать (249KB)
